西安理工大学专业简介：电子科学与技术

西安理工大学专业简介：电子科学与技术

  西安理工大学电子科学与技术学科始建于1972年，是我校最早设立的重点学科之一。1973年开始本科招生，1990年获得首个二级学科硕士点，2000年获得微电子学与固体电子学二级学科博士学位授予权，2007年获批设立一级学科博士后流动站，2009年依托该学科的电子科学与技术专业获批为“国家特色专业”。2011年获批电子科学与技术一级学科博士点。2016年依托该学科的电子科学与技术专业获批为陕西省“一流专业”。先后获批全国示范性全日制工程硕士专业学位研究生联合培养实践基地、陕西省军民两用集成电路设计中心、陕西省新型半导体功能材料与设备工程研究中心、陕西省实验教学示范中心、陕西省教学团队、陕西省人才培养模式创新实验区、陕西省研究生联合培养示范工作站、功率半导体器件及设备研究生联合培养工作站、中省共建教学实践基地、新型电力电子器件与功率集成研究中心、西安理工大学先进导航与电磁技术研究所，并于2017年成立郝跃院士工作室。

  本学科经过多年科研与教学实践，已形成了宽禁带半导体材料与新型电力半导体器件、集成电路设计、光电子器件与技术、电磁理论与数值计算等四个稳定且具特色的研究方向。

  （1）宽禁带半导体材料与新型电力半导体器件

  本方向针对宽禁带半导体材料，立足于工程实践，与“西安电力电子技术研究所”等多家企事业单位紧密结合，在行业的地位不断提升。研发出6－8英寸碳化硅晶体生长设备及其生长工艺；针对硅基超结功率MOS、高压FSRD、IGBT及IGCT等新器件，提出了若干具有创新性的结构。本方向获批国家自然科学基金、国家“十一五”研究计划重点项目等10余项；获陕西高等学校科学技术壹等奖、陕西省科学技术进步貳等奖各1项。发表研究论文70余篇，其中SCI收录8篇，EI收录35篇，出版著作3部，授权国家发明专利12项。

  （2）集成电路设计

  本方向主要围绕专用集成电ASIC设计方法在生物医电领域的应用研究、三维集成电路设计和高集成度大功率IGBT IPM设计方向开展工作。生物医电领域方面，在片上微流控细胞检测仪和视觉假体上获得了若干原创性成果；率先提出了基于数字测试方法的三维集成电路产业化测试方案；提出了高集成度智能IGBT IPM设计方案，达到了国际先进水平。本方向获批国家自然科学基金项目5项，授权发明专利12项，获省部级科学技术奖一等奖和二等奖各1项。

  （3）光电子器件与技术。

  本方向开展用光电导方法产生THz电磁脉冲及辐射的方法与机理研究、开展半导体光电子器件、超快光电导开关材料和器件、新型有机半导体器件、THz探测器件等新器件结构、制作工艺等研究工作。与“美国Rensselaer Polytechnic Institute太赫兹研究中心”、中国科学院上海微系统与信息技术研究所等多个研究中心及大学合作，得到了国内外同行专家的好评及认可。本方向获批国家自然科学基金项目等共20余项。发表研究论文100余篇，SCI和EI收录近100篇。授权国家发明专利10多项。

  （4）电磁理论与数值计算

  本方向主要围绕电磁理论、数值计算及并行计算、电磁参数诊断等技术及相关应用开展研究工作。率先将FDTD方法应用于预测再入等离子鞘套中的电波传播特性和低频地波传播预测，解决了计算速度与计算精度之间的矛盾；首次构建了“实测＋正演计算＋反演优化”的大地电导率反演架构；提出了“等效球形粒子＋强扰动理论”、“低频初值＋色散特性”的多针状晶须吸收剂和蜂窝吸波结构等效电磁计算方法，提高了计算精度。本方向获批国家自然科学基金项目3项，国家863军口项目5项，中国博士后科学基金5项，总装预研项目4项，授权发明专利10余项。

  本学科在重要学术研究方向上具有较高的影响力，是国内最早开展功率半导体器件研究的学科团队之一。在新型硅功率器件研究领域，以及新型半导体材料生长设备及其生长技术研究领域具有较大的影响力，研究成果获得了国内外同行专家的认可。日本东北大学、东京大学、德国GE全球研究院、新加坡微电子研究所和中科院半导体研究所等国内外知名院校和科研单位与本学科有着长期的科研项目项目合作。本学科培养的毕业生也得到社会广泛认可，他们在国内龙头企业中（中车集团西安永电电气有限公司、襄樊台基半导体有限公司、西安电力电子研究所）担任高层领导职位。