北京理工大学学科简介：集成电路科学与工程

北京理工大学学科简介：集成电路科学与工程

  北京理工大学集成电路科学与工程学科前身是创建于 1960 年的半导体材料与器件专业，是全国最早的电子与器件专业之一，60 年来始终坚持为党育人、为国育才，2016 年获批筹建国家级示范性微电子学院，2021 年获批全国首批集成电路科学与工程一级学科博士点，首批入选国家集成电路高层次紧缺人才培养专项。

  学科围绕集成电路领域关键“卡脖子”难题，瞄准国家重大战略需求和世界科技前沿，坚持走产学结合、面向工程、服务国防、特色发展的道路，形成了与电子、材料、信息、光学等学科深度交叉融合共同发展的学科布局，并与华大九天、北方华创、电子六所、拓荆科技等行业领军企业开展校企联合人才培养。

  学科目前共有专职教师 90 人，其中正高级职称 33 人，副高级职称 37 人，具有海外经历的教师占比 80%。师资队伍汇聚了 2 名教育部“长江学者”特聘教授、2 名国家杰青、1 名国家“万人计划”科技创新领军人才、1 名海外高层次人才、1 名 IEEE fellow，以及 6 名国家级高层次青年人才计划人选者，另有北京市教学名师 1 名，北京市青年教学名师 1 名。学科建有低维量子结构与器件工信部重点实验室、毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室、硅基高速片上系统北京市工程技术研究中心、多元信息系统国防重点学科实验室等高水平创新平台和电工电子国家级实验教学示范中心，与地方政府联合建设北理工重庆微电子中心、微纳器件与系统创新中心（长三角研究生院）等校地合作机构。目前，拥有实验室面积近 1 万平方米，实验设备总值超 1 亿元。学科承担国家重点研发计划项目，国家自然科学基金重点、杰青、优青项目，军委科技委重大项目，北京市科技计划重点项目等国家和国防重要科研项目，年均科研经费过 1 亿元。在新型低维量子结构与器件、智能 MEMS 微镜、星载信号专用处理芯片与系统应用等领域取得一系列国际和国内领先的成果，具有明显的特色与优势，形成以下 4 个主要研究方向：

  1． 集成微纳电子科学

  集成微纳电子科学方向面向国家在集成电路领域的重大战略需求，开展低维电子材料、超宽带隙半导体等极端带隙半导体材料的制备与器件构筑研究，包括新概念器件、功率半导体器件、长波与日盲探测器件等。研制智能化、轻量化、微型化多功能集成的极端带隙半导体功能器件，并探索其在电力传输、新能源汽车、高频通信、智能感知等国家重大战略领域的应用，培养集成微纳电子科学方向的高级专业人才，打造具有北理工标签的集成微纳电子科学方向，服务集成电路学科及相关领域发展。

  2． MEMS 与集成微系统

  MEMS 与集成微系统方向致力于研究 MEMS 微纳传感器与执行器芯片设计、制造和微流控技术，以光学 MEMS、声学 MEMS、谐振 MEMS、CMOS－MEMS 集成为特色，强调电学、光学、热学、声学、材料学与生物学等多学科融合，研制智能化、轻量化、微型化多功能集成声光电系统，并探索其在智能感知、智能制造、精准医疗、无人驾驶、智慧环保、灵巧机器人、遥感遥测等国家重大战略领域的应用，培养 MEMS 与集成微系统方向的高级专业人才，推动集成电路及相关学科发展。

  3． 集成电路设计与先进封装

  集成电路设计与先进封装方向面向新一代雷达信息系统、低轨卫星互联网、高效能信号处理等领域的国家重大需求，开展集成电路设计方法与理论、模拟与混合信号集成电路设计、硅基射频/毫米波集成电路设计与应用、片上系统（SOC）设计等方面的研究。瞄准后摩尔时代集成电路的新设计理论、新功能器件、新微纳系统等重大科学问题，开展三维垂直互连技术、转接板与异质异构集成技术、感存算一体化设计技术、新形态信息器件的基础与应用研究。在毫米波专用集成电路设计，小直径、超高深宽比与超大深度硅通孔（TSV）成套工艺，超大规模专用信号处理芯片设计与应用等领域形成特色优势。

  4． 柔性电子器件与智造

  柔性电子器件与智造方向面向后摩尔时代新结构、新功能器件和系统，针对柔性电子器件在器件结构设计、半导体材料制备、大规模制造新技术和专用设备研发等方面面临的多重瓶颈，通过微电子、光电子、量子信息、材料、力学、生物医学、人工智能等多学科领域深度交叉，开展柔性智能机器人感知（视觉、触觉、嗅觉）、面向精准医疗和个性化理疗的仿生传感器与系统、多功能柔性与可穿戴电子系统等领域的基础与应用研究。培养具有国际视野的柔性电子学方向的高级专门人才，服务集成电路及相关学科的发展。