今年整体来说比较难吧，我个人觉得难，器件重半导体物理部分，后面的器件基本没怎么考，模点比以往偏，没有考差分运放，重在运算放大器的部分，数电前面简单，但是最后一题也比较难。下面详细回忆下。
共11道题，前面器件，后模电，最后数电。
第一道，让分析半导体的电阻率随温度的变化关系，画出曲线并分析。
第二道，是半导体物理，告诉导带底和价带顶的能量与波矢的关系，求禁带宽度，空穴和电子的有效质量，还有电子从价带顶跃迁到导带底时的准动量变化。
第三道，是一道计算扩散电流的题，还算简单，第二问求要使得电流为零所需加的电场强度。
第四道，是mos管电流的计算，但是最后一问考了速度饱和，写个没复习，不知道怎么算。
器件好像就这么几道其他的想不起来了。
模电具体的题号我都忘了，只能说说考了那些点，
首先2011年的真题原题又考了，
第五题，有好几道简单的问答题，1．问BJT与MOS管的跨导电流比，为什么BTJ要大，2．饱和时的cmos小型号等效电路图，3．让根据一个电路图设计电路，这次应该是一个积分运算电路，4． 根据一个电路图分析一个二极管的导痛还是截止，5．一个运放后面接一个mos管然后构成一个负反馈，分别在漏级和源级有两个输出电压，第一问判断输出极性和反馈组态，后面求对于两个输出电压的增益。
第六题，是一个含有三个运算放大器组成的电路，让求各个电压，还有在不同的频率下的输出电压的幅值。这题比较难，分值**25分，
还有什么我想不起来了，接下来的数电
1．还是给两个二进制数，让求原码反码补码，求和，
2．根据给的输出函数，用卡洛图化简电路图
3．给一个触发器的时序图，让判断什么类型的触发器，触发方式是电平还是脉冲，
4．给了一个38译码器和2位数据选择器求输出函数的表达式，并列出真值表。
5．让设计产生11位序列的序列发生器。
整体来说今年比去年难了好多，复习的重点反而没考，比如器件的pn结，mos管的阈值电压，三极管的计算都没考，重点在半导体物理部分，模电和以往也不一样，没有简单mos放大电路，也没有考差分运放，波特图等，重点是运算放大器的计算。只有数电和往年差不多，只是最后一题依然做不来。。。