武汉理工大学集成电路学院2027年硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲
武汉理工大学集成电路学院2027年硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲
第一部分 考试说明
一、考试性质
《半导体物理》考试科目是我校招生专业材料科学与工程（电子材料与器件方向）学术学位硕士研究生而设置的，由我校材料与微电子学院命题。考试的评价标准是普通高等学校物理、材料、电子信息及相关专业优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平。
二、考试的学科范围
应考范围包括：半导体中的电子状态、半导体中杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、非平衡载流子、pn结、金属半导体的接触、半导体异质结构。
三、评价目标
半导体物理是材料、物理、电子信息及相关专业的重要专业基础课。本课程考试旨在考查考生是否熟悉半导体中的基础物理现象和规律，是否掌握能带理论、分布函数、载流子运动等基础模型，考察学生是否能够运用这些基础原理和模型解决微电子器件中的半导体-半导体、半导体-金属等接触问题。
四、考试形式与试卷结构
（一）答卷方式：闭卷，笔试；
（二）答题时间：180分钟；
（三）题型比例：选择题（30分）+名词解释（35分）+ 简答题（40分）+计算题（45分）
（四）参考书目：
《半导体物理学》（第七版），刘恩科主编，电子工业出版社，2017
第二部分 考查要点
一、半导体中的电子状态
1．半导体中的电子状态和能量
2．半导体中的电子运动和有效质量
3．空穴
二、半导体中的杂质和缺陷能级
1．施主、受主杂质和能级
2．浅能级杂质和电离能
3．杂质补偿作用
4．深能级杂质
5．缺陷、位错能级
三、半导体中载流子的统计分布
1．状态密度
2．费米能级和载流子统计分布
3．本征、杂质半导体的载流子浓度
四、半导体的导电性
1．载流子的漂移运动和迁移率
2．载流子的散射
3．迁移率与杂质浓度和温度的关系
4．电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
五、非平衡载流子
1．非平衡载流子的注入与复合
2．非平衡载流子的寿命
3．准费米能级
4．复合理论
5．陷阱效应
6．载流子的扩散运动
7．载流子的漂移扩散和爱因斯坦关系
8．连续性方程
六、pn结
1．pn结及其能带图
2．pn结电流电压特性
3．pn结电容
4．pn结击穿
5．pn结隧道效应
七、金属和半导体的接触
1．金属半导体接触及其能级图
2．金属半导体接触整流理论
3．少数载流子的注入和欧姆接触
八、半导体异质结构
1．半导体异质结构及其能带图
2．半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性
3．半导体异质结量子陷阱结构及其电子能态与特性
4．半导体超晶格
来源：http://ismse.whut.edu.cn/rcpy/zsxx/202607/t20260715_1412562.shtml
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